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Sistema de corte láser de lingotes de carburo de silicio

El sistema de corte láser de lingotes de carburo de silicio proporciona un corte sin contacto para la preparación de obleas de SiC. El procesamiento láser de alta precisión ayuda a reducir la pérdida de material y a mejorar la uniformidad del corte. Adecuado para el procesamiento avanzado de obleas de materiales semiconductores y aplicaciones de producción de SiC.
  • Le Cheng
  • Llevar a la fuerza
  • Tres meses
  • Cincuenta conjuntos en el año

Guía de aplicación y selección del sistema de corte láser de lingotes de carburo de silicio

El sistema de corte láser de lingotes de carburo de silicio está diseñado para proyectos de procesamiento láser industrial que requieren un control estable del haz, repetibilidad del proceso e integración fiable con los requisitos de producción. Para la selección de equipos de corte láser, los compradores deben comparar el tipo de material, la precisión del procesamiento, el nivel de automatización, el rendimiento, el acceso para el mantenimiento y el soporte posventa antes de confirmar la configuración final del equipo.

Las soluciones láser relacionadas incluyen:Sistema de corte láser OLED flexible,Máquina de corte láser 3D,Máquina de corte láser de alta velocidad para tubos de la serie PEstas referencias internas ayudan a los usuarios a comparar sistemas similares y a navegar de forma natural entre las páginas de equipos de limpieza, corte, marcado, soldadura y láser fotovoltaico.

Características estructurales

  1. Sistema láser ultrarrápido de alta potencia: Utiliza láseres pulsados ​​de picosegundos/femtosegundos para minimizar las zonas afectadas por el calor (ZAC) y los daños en el material.

  2. Plataforma de movimiento de precisión: equipada con sistemas accionados por motor lineal, que logran una precisión de posicionamiento repetitivo de ±1 μm para trayectorias de corte estables y uniformes.

  3. Enfoque óptico adaptativo: ajusta dinámicamente los puntos focales del láser para adaptarse a lingotes de diferentes espesores, garantizando una calidad de corte óptima.

  4. Supervisión y retroalimentación en tiempo real: Los sistemas integrados de alineación de visión CCD y medición láser permiten el control de procesos en vivo con ajuste automático de parámetros.

  5. Diseño modular: admite configuraciones de varias estaciones y es compatible con lingotes de 4, 6 y 8 pulgadas para una mayor flexibilidad.

Silicon Carbide Laser Slicing

Ventajas técnicas

  1. Mínimo desperdicio de material: el corte láser sin contacto logra anchos de corte de 20 a 50 μm, lo que mejora el rendimiento del material en más del 30 %.

  2. Alto rendimiento: entre 5 y 10 veces más rápido que las sierras de hilo diamantado, lo que reduce el tiempo de procesamiento a menos de 2 horas por lingote.

  3. Calidad superficial superior: Rugosidad superficial de corte (Ra) <0,5 μm, lo que minimiza los pasos y costes posteriores al pulido.

  4. Ecológico: Elimina la contaminación por fluidos de corte y reduce el consumo de energía en un 40%, en consonancia con la fabricación sostenible.

SiC Ingot Slicing System

Aplicaciones típicas

  1. Dispositivos de potencia de SiC: Ideales para la preparación de obleas de MOSFET, SBD y otros componentes electrónicos de potencia.

  2. Componentes de RF: Permite el corte preciso de obleas de GaN sobre SiC en estaciones base 5G y sistemas de comunicación por satélite.

  3. Vehículos de nueva energía: Ofrece soporte para la producción de obleas de SiC para inversores de vehículos eléctricos, módulos OBC y otros componentes críticos.

Laser Wafer Slicing

Las especificaciones son meramente indicativas. ¡Todos los equipos son totalmente personalizables según sus necesidades!


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  • ¿Cuánto tiempo transcurre desde el pedido del equipo hasta la producción oficial cuando se coopera con Locsen?

    El plazo total varía según las especificaciones del equipo y la escala de la línea de producción. Para equipos independientes, los modelos estándar requieren un ciclo de fabricación de 45 días, con una duración total (incluidos el envío y la instalación) de aproximadamente 60 días. Los equipos personalizados requieren 30 días adicionales según los requisitos técnicos. Para soluciones de línea completa: • Las líneas de producción de 100 MW requieren aproximadamente 4 meses para la planificación, la fabricación de equipos, la instalación y la puesta en marcha. • Las líneas de producción de nivel GW requieren aproximadamente 8 meses Proporcionamos cronogramas de proyecto detallados con gerentes dedicados, lo que garantiza una coordinación fluida. Ejemplo: La línea de producción de perovskita de 1 GW de un cliente se completó 15 días antes de lo previsto mediante la fabricación de equipos y la construcción de instalaciones en paralelo.
  • ¿Ofrece Locsen equipos adecuados y soluciones de asociación para empresas emergentes de perovskita?

    Locsen ofrece un “Programa de asociación por fases” diseñado específicamente para nuevas empresas de perovskita. Para la fase inicial de I+D, proporcionamos equipos compactos a escala piloto (por ejemplo, sistemas de rayado láser de 10 MW) combinados con paquetes de procesos esenciales para facilitar la validación de la tecnología y la iteración del producto. Durante las fases de ampliación, las empresas emergentes califican para obtener beneficios de actualización: • Los módulos centrales del equipo piloto se pueden canjear con deducción de valor para maquinaria de línea de producción. • Colaboración técnica opcional que incluye apoyo al desarrollo de procesos y compartición de datos experimentales. Este programa ha permitido que varias empresas emergentes realicen una transición fluida del laboratorio a la producción piloto, mitigando al mismo tiempo los riesgos de inversión en la etapa inicial.
  • ¿Puede el equipo de Locsen manejar células solares de perovskita de diferentes tamaños? ¿Cuál es la dimensión máxima admitida?

    Los equipos láser de Locsen presentan una compatibilidad de tamaño excepcional, capaz de procesar células solares de perovskita que van desde 10 cm × 10 cm hasta 2,4 m × 1,2 m. Para el procesamiento de células de gran tamaño (por ejemplo, sustratos rígidos de 12 m × 2,4 m), ofrecemos sistemas láser tipo pórtico personalizados con sincronización de múltiples cabezales láser para garantizar tanto la precisión como el rendimiento. • Rendimiento comprobado: Se procesaron con éxito celdas de 1,2 m × 0,6 m con una precisión de trazado líder en la industria (±15 μm) y uniformidad (>98 %) • Diseño modular: Los módulos ópticos intercambiables se adaptan a diferentes espesores (0,1-6 mm) • Calibración inteligente: la alineación del haz en tiempo real asistida por IA compensa la deformación del sustrato
  • ¿Locsen proporciona soluciones láser personalizadas para todas las etapas clave de producción de células solares de perovskita?

    Sí, Locsen ofrece soluciones integrales de procesamiento láser que cubren toda la cadena de producción de células solares de perovskita: Marcado láser P0: para identificación de células después de la deposición de la película Trazado láser P1/P2/P3: Patrones de precisión de • Capas conductoras transparentes (P1) • Capas activas de perovskita (P2) • Electrodos traseros (P3) Aislamiento de borde P4: Recorte de borde a nivel de micrones para evitar cortocircuitos Módulos de celdas en tándem: sistemas de grabado láser dedicados para el procesamiento de capas de múltiples materiales Nuestro ecosistema de equipos integrados garantiza que se cumplan todos los requisitos de procesamiento láser con: • Precisión de alineación de ≤20 μm entre capas • Zona de efecto térmico controlada por debajo de 5 μm • Plataformas modulares que respaldan la I+D hasta la producción a escala de GW
  • ¿Qué rangos de tolerancia de composición admiten las herramientas de Locsen para formulaciones de perovskita variantes?

    Los sistemas láser de Locsen demuestran una adaptabilidad excepcional a diversas composiciones de perovskita. • Parámetros precargados: Las configuraciones optimizadas para las formulaciones principales (p. ej., FAPbI₃, CsPbI₃) en la biblioteca de recetas láser permiten el acceso instantáneo del operador • Soporte de I+D: Para composiciones novedosas (p. ej., perovskitas basadas en Sn), nuestro equipo ofrece: Calibración de longitud de onda/fluencia personalizada en 72 horas Validación del rendimiento que garantiza<1% PCE degradation post-processing • Smart Compensation: On-board spectroscopy modules monitor reflectivity in real-time, automatically adjusting: Pulse duration (20-500ns) Beam profile (Top-hat/Gaussian) Energy density (0.5-3J/cm²) Technical Highlights: ▸ Tolerance for ±15% stoichiometric variation in Pb:Sn ratios ▸ Support for 2D/3D hybrid phase patterning ▸ Non-contact processing avoids cross-contamination

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