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Equipo de grabado láser

Grabado láser ultrafino de 5 μm: precisión submicrónica para semiconductores y FPC. Procesamiento de alta velocidad de 2000 mm/s: 4 veces más rápido que el grabado químico, cero desperdicio. Compatibilidad con más de 200 materiales: desde vidrio hasta aleaciones de titanio, sin contacto. Control HMI inteligente: enfoque automático e integración CAD, certificación ISO.
  • Le Cheng
  • Llevar a la fuerza
  • Tres meses
  • Cincuenta sets en el año

Características estructurales

Nuestro sistema de grabado láser integra ingeniería de vanguardia para un rendimiento incomparable:

  1. Fuente láser ultraestable: láseres de fibra/UV/picosegundos con duración de pulso ajustable (ns/ps/fs), opciones de longitud de onda (355 nm, 532 nm, 1064 nm) y potencia máxima de hasta 50 W.

  2. Sistema de movimiento de alta precisión: platina de granito con cojinete de aire con una precisión de posicionamiento de ±1 μm, acoplada con escaneo galvanómetro (campo de visión de 7 mm² a 300 mm²) para generar patrones dinámicos.

  3. Suite de control inteligente:

    • Enfoque automático del eje Z en tiempo real (resolución: 0,1 μm)

    • Alineación de visión CCD para una precisión de superposición de ±5 μm

    • HMI con software propietario compatible con formatos DXF, Gerber y BMP

  4. Control ambiental multicapa:

    • Recinto compatible con salas blancas de clase 1000

    • Regulación activa de temperatura y humedad (±0,5 °C)

    • Extracción de humos integrada con filtración HEPA

  5. Ruta de actualización modular: platina giratoria de 3 ejes opcional, perfilometría in situ o configuración híbrida multiláser.

  6. Laser Etching Equipment​


Ventajas técnicas

Revolucione su fabricación con ventajas tecnológicas de vanguardia:

  • Precisión submicrónica: logre tamaños de características de 5 a 20 μm (Ra < 0,2 μm) mediante conformación de haz limitada por difracción.

  • Procesamiento sin contacto: elimina el desgaste de la herramienta y el estrés mecánico de los materiales frágiles (por ejemplo, SiC, vidrio).

  • Control de energía adaptativo: la modulación de potencia pulso a pulso (1–100 % en pasos de 0,1 %) permite la ablación selectiva de múltiples capas (por ejemplo, ITO/Ag/PET).

  • Velocidad y eficiencia: Velocidad de escaneo de 2000 mm/s con aceleración de 50 g; 4 veces más rápido que el grabado químico.

  • Operación Eco-Consciente: 30% menos de consumo de energía en comparación con la competencia, sin reactivos tóxicos ni aguas residuales.

precision laser etching

Aplicaciones típicas

Impulsando la innovación en todas las industrias:

SectorCasos de usoBeneficios clave
SemiconductoresCorte de obleas, recorte de circuitos integrados, marcado de paquetesAncho de corte <10 μm, cero microfisuras
FPD/LEDModelado FPC, eliminación de encapsulado OLED, grabado del sensor táctilAblación selectiva, tasa de rendimiento del 99,9 %
SolarPerforación de células PERC (orificios de 10 a 20 μm), trazado de película delgada500 orificios/seg, precisión posicional de ±2 μm
Dispositivos médicosTexturizado de stents, microranurado de implantes, fabricación de canales de laboratorio en chipModificación de superficies biocompatibles
I+D avanzadaProcesamiento de materiales 2D, creación de metasuperficies, creación de prototipos de dispositivos cuánticosImpresión térmica de nanosegundos


Las especificaciones son sólo indicativas: ¡todo el equipo es totalmente personalizable según sus necesidades!



  • ¿Cuánto tiempo transcurre desde el pedido del equipo hasta la producción oficial cuando se coopera con Locsen?

    El plazo total varía según las especificaciones del equipo y la escala de la línea de producción. Para equipos independientes, los modelos estándar requieren un ciclo de fabricación de 45 días, con una duración total (incluidos el envío y la instalación) de aproximadamente 60 días. Los equipos personalizados requieren 30 días adicionales según los requisitos técnicos. Para soluciones de línea completa: • Las líneas de producción de 100 MW requieren aproximadamente 4 meses para la planificación, la fabricación de equipos, la instalación y la puesta en marcha. • Las líneas de producción de nivel GW requieren aproximadamente 8 meses Proporcionamos cronogramas de proyecto detallados con gerentes dedicados, lo que garantiza una coordinación fluida. Ejemplo: La línea de producción de perovskita de 1 GW de un cliente se completó 15 días antes de lo previsto mediante la fabricación de equipos y la construcción de instalaciones en paralelo.
  • ¿Ofrece Locsen equipos adecuados y soluciones de asociación para empresas emergentes de perovskita?

    Locsen ofrece un “Programa de asociación por fases” diseñado específicamente para nuevas empresas de perovskita. Para la fase inicial de I+D, proporcionamos equipos compactos a escala piloto (por ejemplo, sistemas de rayado láser de 10 MW) combinados con paquetes de procesos esenciales para facilitar la validación de la tecnología y la iteración del producto. Durante las fases de ampliación, las empresas emergentes califican para obtener beneficios de actualización: • Los módulos centrales del equipo piloto se pueden canjear con deducción de valor para maquinaria de línea de producción. • Colaboración técnica opcional que incluye apoyo al desarrollo de procesos y compartición de datos experimentales. Este programa ha permitido que varias empresas emergentes realicen una transición fluida del laboratorio a la producción piloto, mitigando al mismo tiempo los riesgos de inversión en la etapa inicial.
  • ¿Puede el equipo de Locsen manejar células solares de perovskita de diferentes tamaños? ¿Cuál es la dimensión máxima admitida?

    Los equipos láser de Locsen presentan una compatibilidad de tamaño excepcional, capaz de procesar células solares de perovskita que van desde 10 cm × 10 cm hasta 2,4 m × 1,2 m. Para el procesamiento de células de gran tamaño (por ejemplo, sustratos rígidos de 12 m × 2,4 m), ofrecemos sistemas láser tipo pórtico personalizados con sincronización de múltiples cabezales láser para garantizar tanto la precisión como el rendimiento. • Rendimiento comprobado: Se procesaron con éxito celdas de 1,2 m × 0,6 m con una precisión de trazado líder en la industria (±15 μm) y uniformidad (>98 %) • Diseño modular: Los módulos ópticos intercambiables se adaptan a diferentes espesores (0,1-6 mm) • Calibración inteligente: la alineación del haz en tiempo real asistida por IA compensa la deformación del sustrato
  • ¿Locsen proporciona soluciones láser personalizadas para todas las etapas clave de producción de células solares de perovskita?

    Sí, Locsen ofrece soluciones integrales de procesamiento láser que cubren toda la cadena de producción de células solares de perovskita: Marcado láser P0: para identificación de células después de la deposición de la película Trazado láser P1/P2/P3: Patrones de precisión de • Capas conductoras transparentes (P1) • Capas activas de perovskita (P2) • Electrodos traseros (P3) Aislamiento de borde P4: Recorte de borde a nivel de micrones para evitar cortocircuitos Módulos de celdas en tándem: sistemas de grabado láser dedicados para el procesamiento de capas de múltiples materiales Nuestro ecosistema de equipos integrados garantiza que se cumplan todos los requisitos de procesamiento láser con: • Precisión de alineación de ≤20 μm entre capas • Zona de efecto térmico controlada por debajo de 5 μm • Plataformas modulares que respaldan la I+D hasta la producción a escala de GW
  • ¿Qué rangos de tolerancia de composición admiten las herramientas de Locsen para formulaciones de perovskita variantes?

    Los sistemas láser de Locsen demuestran una adaptabilidad excepcional a diversas composiciones de perovskita. • Parámetros precargados: Las configuraciones optimizadas para las formulaciones principales (p. ej., FAPbI₃, CsPbI₃) en la biblioteca de recetas láser permiten el acceso instantáneo del operador • Soporte de I+D: Para composiciones novedosas (p. ej., perovskitas basadas en Sn), nuestro equipo ofrece: Calibración de longitud de onda/fluencia personalizada en 72 horas Validación del rendimiento que garantiza<1% PCE degradation post-processing • Smart Compensation: On-board spectroscopy modules monitor reflectivity in real-time, automatically adjusting: Pulse duration (20-500ns) Beam profile (Top-hat/Gaussian) Energy density (0.5-3J/cm²) Technical Highlights: ▸ Tolerance for ±15% stoichiometric variation in Pb:Sn ratios ▸ Support for 2D/3D hybrid phase patterning ▸ Non-contact processing avoids cross-contamination

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